RU 2390875 C1, 27.05.2010. RU 2001126630 A, 27.08.2003. SU 1507131 A1, 10.04.2004. US 7183149 B2, 27.02.2007. US 5736418 A, 07.04.1998. WO 03/067664 A1, 14.08.2003.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)
Изобретатели:
Айзенштат Геннадий Исаакович (RU) Ющенко Алексей Юрьевич (RU) Иващенко Анна Ивановна (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов или сверхвысокочастных интегральных схем на полевых транзисторах. Техническим результатом изобретения является упрощение получения подзатворных щелей в диэлектрике с размерами, меньшими 100 нм. Сущность изобретения: в способе изготовления полевого транзистора, включающем создание контактов стока и истока, выделение активной области, нанесение пленки диэлектрика на поверхность контактного слоя, формирование субмикронной щели в пленке диэлектрика для последующих операций травления контактного слоя и нанесения металла затвора через маску резиста, сразу после нанесения пленки диэлектрика проводят литографию для вскрытия окон в диэлектрике, у которых, по крайней мере, один из краев совпадает с местоположением затворов Шоттки в изготавливаемом транзисторе, а после вскрытия окон на всю поверхность наносят второй слой диэлектрика и удаляют резист, а затем посредством новой литографии создают окна в резисте, окружающие щели, образованные между двумя диэлектриками, проводят селективное травление контактного слоя и напыляют пленки металлов для формирования затворов. 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента