

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ

Номер публикации патента: 2461090

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2010152872/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/316
Аналоги изобретения:	RU 2378740 C1, 10.01.2010. RU 2123218 C1, 10.12.1998. RU 2070350 C1, 10.12.1996. SU 1696385 A1, 07.12.1991. US 5013681 A, 07.05.1991. US 6103598 A, 15.08.2000. JP 1246851 A, 02.10.1989.

Имя заявителя:	Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) (RU)
Изобретатели:	Мустафаев Гасан Абакарович (RU) Мустафаев Абдулла Гасанович (RU) Мустафаев Арслан Гасанович (RU)
Патентообладатели:	Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) (RU)

Реферат

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: полупроводниковую структуру создают путем формирования оксинитридного пористого кремния азотированием пластин с пористым кремнием при температуре 1000°С в диффузионной печи в среде аммиака в течение 1-2 часа с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аммиака при давлении (9-10)·10⁶. 1 табл.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"