Грехов И.В. и др. Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным р-n переходом, изготовленным имплантацией бора. Физика и техника полупроводников, 2008, т.42, вып.2, с.211, 212. Маслова К.В. и др. Монтаж кристаллов БИС с использованием припоя на основе цинка. Электронная промышленность, 1989, 6, с.24-26. RU 2313156 C1, 20.12.2007. RU2375786 C1, 10.12.2009. US 2008205013 A1, 28.08.2008. JP 2009099655 A, 07.05.2009.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU), ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU)
Изобретатели:
Зенин Виктор Васильевич (RU) Бойко Владимир Иванович (RU) Кочергин Александр Валерьевич (RU) Спиридонов Борис Анатольевич (RU) Строгонов Андрей Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU) ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния. Сущность изобретения: способ пайки кристаллов на основе карбида кремния, включающий формирование на паяемой стороне кристалла двухслойного покрытия никель/серебро и пайку к основанию корпуса из металлизированного нитрида алюминия. На паяемые поверхности кристалла и корпуса наносят адгезионный слой, а затем металлическую связку из сплава Ni-B толщиной 3-5 мкм для формирования алмазоносного слоя из порошка алмаза с размером зерен 25-30 мкм, которые выступают над металлической связкой на 20-25 мкм, между кристаллом и корпусом размещают фольгу припоя, содержащего адгезионно-активные металлы по отношению к алмазу, толщина фольги припоя выбирается из условия полного заполнения зазоров между алмазными зернами, при этом алмазные зерна на кристалле и корпусе не должны соприкасаться друг с другом в расплаве припоя, а при пайке кристалл подвергают воздействию ультразвуковых колебаний. Техническим результатом изобретения является повышение теплоотвода от кристалла к корпусу. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента