

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ САМОПОДДЕРЖИВАЮЩЕЙСЯ КРИСТАЛЛИЗОВАННОЙ КРЕМНИЕВОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ

Номер публикации патента: 2460167

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2011107879/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/324
Аналоги изобретения:	REBER KIEBILA BAU. Crystalline Silicon Thin Film Solar Cells on Foreign Substrates by High Tempersture Deposition and Recrystallization. Thin Film Solar Cells: Fabrication Characterization and Applications. John Wiley and Sons. LTD, 2006, p.39-95. US 4705659 A, 10.11.1987. US 4131659 A, 26.12.1978. US 4370288 A, 25.01.1983. RU 2040589 C1, 25.07.1995.

Имя заявителя:	КОМИССАРЬЯ А Л'ЭНЕРЖИ АТОМИК Э ОЗ ЭНЕРЖИ АЛЬТЕРНАТИВ (FR)
Изобретатели:	ГАРАНДЕ Жан-Поль (FR) КАМЕЛЬ Дени (FR) ДРЕВЕ Беатрис (FR)
Патентообладатели:	КОМИССАРЬЯ А Л'ЭНЕРЖИ АТОМИК Э ОЗ ЭНЕРЖИ АЛЬТЕРНАТИВ (FR)
Приоритетные данные:	05.09.2008 FR 0855969

Реферат

Изобретение относится к способу перекристаллизации для получения самоподдерживающихся кристаллических кремниевых лент с размером зерна более 1 мм. Сущность изобретения: способ получения самоподдерживающейся кристаллической кремниевой тонкой пленки включает по меньшей мере стадии, заключающиеся в:

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"