US 6159842 А, 12.12.2000. US 6051491 А, 18.04.2000. US 5461003 А, 24.10.1995. ЕР 0860879 А2, 26.08.1998. RU 2230391 С2, 27.11.2003. SU 1695777 A1, 30.07.1994.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Изобретатели:
Валеев Адиль Салихович (RU) Шишко Владимир Александрович (RU) Ранчин Сергей Олегович (RU) Воротилов Константин Анатольевич (RU) Васильев Владимир Александрович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления многоуровневых межсоединений интегральных микросхем с пористым диэлектрическим слоем в зазорах между проводниками содержит формирование первого проводящего и первого диэлектрического слоев, формирование отверстий в первом диэлектрическом слое, формирование на поверхности второго проводящего слоя с заполнением отверстий, химико-механическую полировку второго проводящего слоя, в результате чего формируют межуровневые вертикальные проводники, формирование маски, локальное травление первого диэлектрического и первого проводящего слоев и удаление маски, в результате чего формируют горизонтальные проводники, разделенные зазорами, формирование второго защитного диэлектрического слоя, формирование третьего пористого планаризующего диэлектрического слоя, плазменное травление поверхности диэлектрических слоев селективно к материалу вертикальных проводников, формирование четвертого диэлектрического слоя с уровнем поверхности выше уровня поверхности вертикальных проводников, химико-механическую полировку поверхности до вскрытия вертикальных проводников, повторение цикла до получения требуемого числа проводящих уровней, формирование верхнего уровня горизонтальных проводников, формирование пассивации. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия, надежности и выхода годных изделий, а также расширение технологических возможностей их изготовления. 11 з.п. ф-лы, 20 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента