US 2008/0305718 A1, 11.12.2008. RU 1715133 С, 20.08.1995. SU 1499622 A1, 15.01.1993. RU 2305621 C1, 10.09.2007. RU 2007784 C1, 15.02.1994. RU 2001132541 A, 20.09.2003. RU 94004599 A1, 20.01.1996. US 2007/0202703 A1, 30.08.2007. JP 2007324444 А, 13.12.2007. JP 2007088370 A, 05.04.2007.
Имя заявителя:
УЧРЕЖДЕНИЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Кудряшов Дмитрий Александрович (RU) Мизеров Михаил Николаевич (RU) Пушный Борис Васильевич (RU)
Патентообладатели:
УЧРЕЖДЕНИЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников. Изобретение обеспечивает высокое качество полированной поверхности. Сущность изобретения: в способе химико-механического полирования полупроводниковых материалов, включающем воздействие на обрабатываемую поверхность механической нагрузки и полирующей композиции, содержащей водную суспензию частиц абразива и йодсодержащий компонент, согласно изобретению в качестве йодсодержащего компонента композиция содержит йод в виде его раствора в этиловом спирте, концентрация частиц абразива в водной суспензии составляет от 15 до 20 мас.%, концентрация иода в спиртовом растворе составляет от 0,1 до 1 мас.%, при этом содержание спиртового раствора йода в композиции составляет от 1 до 15 мас.%. В качестве частиц абразива композиция преимущественно содержит частицы цеолита NaX или частицы диоксида кремния, полученного сжиганием тетрахлорида кремния в низкотемпературной плазме кислорода и водорода, при этом средний размер частиц абразива составляет от 10 до 1000 нм. 1 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента