RU 2090951 C1, 20.09.1997. RU 2332749 C1, 27.08.2008. RU 2339115 C2, 20.11.2008. US 7855150 B2, 21.12.2010. US 7056830 B2, 06.06.2006. US 6759340 B2, 06.07.2004.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум" (RU)
Изобретатели:
Белецкий Владимир Евгеньевич (RU) Мельников Александр Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии производства электронных компонентов для микро- и наносистемной техники. Сущность изобретения: в способе плазмохимического травления материалов микроэлектроники материал размещают на подложкодержателе в вакуумной камере, подают рабочий газ в вакуумную камеру, поджигают плазму ВЧ-индукционным разрядом, подают ВЧ-мощность к подложкодержателю. Травление осуществляют с разделением на повторяющиеся циклы. Каждый цикл состоит из двух этапов: травления и пассивации, при этом на этапе травления на подложкодержатель подают ВЧ-мощность в пределах 280-300 Вт в течение 0,1-100 с, на этапе пассивации - в пределах 100-120 Вт в течение 0,1-40 с. Такой режим травления позволяет улучшить неравномерность травления в 2,5-3,5 раза при сохранении скорости травления. 2 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента