Зеленцов С.В., Зеленцова Н.В. Современная фотолитография. - Нижний Новгород: 2006, с.56. Валиев К.А. Физика субмикронной литографии. - М.: 1990 - 528 с.). Yeh J.T.C. Journal ofvacumn science and technology. - 1986, v.A4, p.653). RU 2008100283 A, 20.07.2009. US 7351505 B2, 01.04.2008.
Имя заявителя:
Китай Мойше Самуилович (RU), Рудой Игорь Георгиевич (RU), Сорока Аркадий Матвеевич (RU)
Изобретатели:
Китай Мойше Самуилович (RU) Рудой Игорь Георгиевич (RU) Сорока Аркадий Матвеевич (RU)
Патентообладатели:
Китай Мойше Самуилович (RU) Рудой Игорь Георгиевич (RU) Сорока Аркадий Матвеевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к способам создания резистивной маски на поверхности подложки. Техническим результатом изобретения является увеличение разрешения литографии с высокой производительностью, использующей технологию химического усиления. Сущность изобретения: в способе создания маски на поверхности резиста, включающем нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, содержащего генератор кислоты, экспонирование резиста, термическую обработку экспонированного резиста и последующее проявление созданной в резисте структуры. В термическую обработку экспонированного резиста включают его нагрев по меньшей мере одним лазерным импульсом, длину волны излучения которого выбирают из условия, что коэффициент поглощения лазерного излучения резистом превосходит коэффициент поглощения лазерного излучения подложкой. 4 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента