

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ НИТРИДА КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2449414

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2010113874/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/318
Аналоги изобретения:	RU 2325001 С2, 20.05.2008. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем./ Под ред. А.И.Курносова и В.В.Юдина. - М.: Высшая школа, 1986, с.126-129. US 5629043 А, 13.05.1997.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" (ДГТУ) (RU)
Изобретатели:	Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU) Гаджиев Хаджимурат Магомедович (RU) Гаджиева Солтанат Магомедовна (RU) Шангереева Бийке Алиевна (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" (ДГТУ) (RU)

Реферат

Изобретение относится к технологии изготовления мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения диэлектрических пленок нитрида кремния. Сущность изобретения: при получении диэлектрической пленки нитрида кремния пластины подвергают обработке в газовой смеси, состоящей из дихлорсилана (SiH₂Cl₂ ) и аммиака (NH₃), при температуре 800°С в течение 20 минут и при соотношении компонентов: SiH₂Cl₂:NH₃=12 л/ч : 20 л/ч, где рабочее давление Р=66 Па. Техническим результатом изобретения является получение равномерной и однородной толщины пленки нитрида кремния. Разброс по толщине полученной диэлектрической пленки нитрида кремния на пластинах составляет 3,5÷4,0%.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"