Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 
Главная       Патентный отдел       Технологии       Справочник ГРНТИ       Прием       Наши координаты       Обратная связь      

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2449413

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010113865/28 
   Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 6 
Основные коды МПК: H01L021/316    
Аналоги изобретения: RU 2372688 C2, 10.11.2009. RU 2116686 C1, 27.07.1998. RU 2012091 C1, 30.04.1994. US 2005/0056220 A1, 17.05.2005. US 2003/0118748 A1, 26.06.2003. US 5314724 A, 24.05.1994. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" (ДГТУ) (RU) 
Изобретатели: Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU)
Гаджиев Хаджимурат Магомедович (RU)
Гаджиева Солтанат Магомедовна (RU)
Шангереева Бийке Алиевна (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" (ДГТУ) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к методам получения защитных пленок для формирования активных областей p-n переходов. Сущность изобретения: при получении диэлектрической пленки диоксида кремния на поверхности кремниевой подложки формируют слой диэлектрический пленки диоксида кремния за счет горения водорода (H2) и сухого кислорода (O2) в среде азота (N2) при температуре - 980±20°С и расходе газов: N2=400 л/ч; Н2=65 л/ч; O2=650±50 л/ч, разброс толщины пленки составляет - 3,5÷4,0%. Изобретение позволяет получить равномерную и ненарушенную пленку диоксида кремния без примесей при низких температурах.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь 		Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"