RU 2086043 С1, 27.07.1997. RU 2169411 C1, 20.06.2001. RU 2284610 С1, 27.09.2006. US 4329774 A, 18.05.1982. US 6211769 B1, 03.04.2001. US 2002089407 A1, 11.02.2002. GB 2025147 A, 16.01.1980.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (RU)
Изобретатели:
Асина Светлана Степановна (RU) Кокин Сергей Александрович (RU) Климов Сергей Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых резисторов, имеющих высокую температурную стабильность сопротивления в широком интервале рабочих температур. Сущность изобретения: в способе, включающем создание в кремниевом резистивном элементе диффузионных приконтактных областей с металлическими контактами к ним, введение радиационных дефектов в резистивный элемент путем облучения ускоренными электронами с последующим термостабилизирующим отжигом, облучение ускоренными электронами проводят в два этапа, при этом первый этап облучения проводят дозой (Ф1), которая обеспечивает увеличение удельного сопротивления кремния до требуемого значения посредством последующего термического отжига, который проводят при температуре 470÷480°С в течение 2÷3 часов, а второй этап облучения проводят дозой (Ф2), которая обеспечивает минимизацию температурной характеристики требуемого удельного сопротивления посредством термостабилизирующего отжига. Предложены соотношения, из которых, зная дозу облучения электронами (Ф0) для обеспечения минимизации температурной характеристики исходного удельного сопротивления кремния (0), определяют дозы облучения (Ф1 и Ф2). Реализация предложенного способа позволит повысить надежность, снизить весогабаритные и стоимостные показатели устройств с изготовленными резисторами, снизить себестоимость и сроки изготовления кремниевых резисторов. 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента