Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 
Главная       Патентный отдел       Технологии       Справочник ГРНТИ       Прием       Наши координаты       Обратная связь      

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК И СЛОЕВ ТЕЛЛУРА

Номер публикации патента: 2440640

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010145899/28 
   Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 6 
Основные коды МПК: H01L021/203    
Аналоги изобретения: Бондарчук Н.Ф. и др. Структура конденсированных пленок теллура и свойства. Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1989, т.25, 2, с.189-194. SU 1767049 А1, 07.10.1992. US 2009/0299084 А1, 03.12.2009. JP 2927420 В1, 28.07.1999. KR 20090090222 А, 25.08.2009. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования Дагестанский государственный университет (RU) 
Изобретатели: Рабаданов Рабадан Абдулкадырович (RU)
Исмаилов Абубакар Магомедович (RU)
Шапиев Ибрагим Магомедович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования Дагестанский государственный университет (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при производстве изделий микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является получение пленок и слоев теллура монокристаллической структуры на ориентирующих подложках. Сущность изобретения: получают пленки и слои теллура монокристаллической структуры на гранях кристаллов путем перевода теллура в моноатомный пар и роста из него образцов монокристаллической структуры, при этом процесс осаждения проводят в атмосфере водорода при РН2=1,8 атм, температуре исходного теллура Т2=600°С и температуре зоны подложки T1=400°C. 4 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь 		Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"