RU 2133999 C1, 27.07.1999. US 7537940 B2, 26.05.2009. US 6346820 B1, 12.02.2002. JP 2007043124 A, 15.02.2007. JP 2006093597 A, 06.04.2006.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Изобретатели:
Кабальнов Юрий Аркадьевич (RU) Качемцев Александр Николаевич (RU) Киселев Владимир Константинович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике. Технический результат изобретения - импульсное кулонометрическое измерение электрофизических параметров по результатам анализа переходных процессов при воздействии на тестовый МДП-конденсатор прямоугольного импульса напряжения при длительности цикла измерения менее 1 мс. Сущность изобретения: в способе измерения электрофизических параметров наноструктур транзистора n-МОП в технологиях КМОП/КНС и КМОП/КНИ путем подачи на затвор импульса напряжения прямоугольной формы положительной полярности длительностью зондирующего импульса , величиной импульса напряжения UP и контроля тока, протекающего через измерительный резистор RH, включенный последовательно между источником импульсного напряжения и затвором транзистора, включенного в режиме конденсатора структуры МДП, в состав тестового кристалла включают конденсатор МОП и фоторезистор с заданными конструктивами, величину сопротивления измерительного резистора RH ограничивают значением 75 кОм, длительность импульса напряжения ограничивают величиной от 6 до 10 мс, амплитуду импульса генератора выбирают из условий формирования на зависимости падения напряжения UR на измерительном резисторе во времени пяти характерных участков с амплитудой Ai и временем завершения формирования ti, а концентрацию носителей заряда в буферном слое, поверхностную концентрацию pS носителей заряда, объемную концентрацию носителей заряда и величину эффективной подвижности носителей заряда определяют из представленных соотношений. 4 з.п. ф-лы, 7 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента