RU 2366766 C2, 10.09.2009. WO 2008/018262 A1, 14.02.2008. US 2009/0032143 A1, 05.02.2009. KR 20100007723 A, 22.01.2010. JP 55068636 A, 23.05.1980.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) (RU)
Изобретатели:
Бурачевский Юрий Александрович (RU) Бурдовицин Виктор Алексеевич (RU) Окс Ефим Михайлович (RU) Юшков Юрий Георгиевич (RU) Гореев Антон Константинович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии выращивания оксидных слоев и может быть использовано при создании защитных либо пассивирующих покрытий на поверхности металла или полупроводника. Сущность изобретения: в способе плазменного анодирования металлического или полупроводникового объекта проводят операции откачки рабочей камеры, напуска кислорода, создания плазмы пучком электронов, проходящим вблизи поверхности объекта. Напротив анодируемого объекта располагают полый катод, подают на него отрицательное относительно объекта напряжение 20-50 В, и анодирование проводят при давлении кислорода 5÷20 Па. Изобретение обеспечивает увеличение скорости роста оксидных слоев на поверхности металлических или полупроводниковых объектов, при сохранении бездефектной структуры слоев. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента