SU 1228720 A1, 27.11.1995. SU 385354 A, 15.10.1973. RU 2079865 C1, 20.05.1997.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА") (RU)
Изобретатели:
Былинкин Сергей Федорович (RU) Шипунов Андрей Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА") (RU)
Реферат
Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении полупроводниковых микромеханических устройств, например чувствительных элементов интегральных датчиков. Сущность изобретения: в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине создают защитный слой, формируют в нем последовательными операциями фотолитографии и травления структуру заданного профиля до появления кремния в области ее максимальной глубины, а затем по очереди травят кремний и оставшийся защитный слой до получения заданного профиля. Согласно изобретению после создания защитного слоя и перед первой операцией фотолитографии по поверхности защитного слоя создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, а после каждой операции фотолитографии перед травлением защитного слоя стравливают контрастный слой. Изобретение обеспечивает повышение точности изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур. 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента