US 6596377 B1, 22.07.2003. Kipshidze G et all. Controlled growth of GaN nanowires by pulsed metalorganic chemical vapor deposition. APPLIED PHYSICS LETTERS, 86, 033104, 11.01.2005. US 6693021 B1, 17.02.2004. US 2005161662 A1, 28.07.2005. RU 2240280 С1, 20.11.2004.
Имя заявителя:
эСТиСи.ЮэНэМ (US)
Изобретатели:
ВАН Синь (US) СУНЬ Синьюй (US) ХЕРСИ Стивен М. (US)
Патентообладатели:
эСТиСи.ЮэНэМ (US)
Приоритетные данные:
10.03.2006 US 60/780,833 08.05.2006 US 60/798,337 25.05.2006 US 60/808,153 12.02.2007 US 60/889,363
Реферат
Изобретение относится к нанопроволокам и устройствам с полупроводниковыми нанопроволоками. Сущность изобретения: Способ изготовления нанопроволок, включающий стадию формирования на подложке маски для селективного выращивания, содержащей группу отверстий, расположенных в определенном порядке и открывающих группу участков подложки, стадию селективного неимпульсного выращивания, в которой на каждом из указанных участков сквозь указанные отверстия выращивают ядра нанопроволок с использованием режима выращивания, включающего одновременную подачу исходных газообразных веществ, образующих ядра нанопроволок, в реактор для выращивания кристаллов (неимпульсный режим), стадию переключения, в которой после формирования ядер нанопроволок с заданными характристиками переключают режим выращивания из неимпульсного режима в режим, при котором происходит поочередная подача исходных газообразных веществ, образующих нитевидную часть нанопроволок, в реактор для выращивания кристаллов (импульсный режим), и стадию импульсного выращивания, в которой продолжают выращивание нитевидных частей нанопроволок в импульсном режиме с формированием множества полупроводниковых нанопроволок. Изобретение обеспечивает получение высококачественных нанопроволок и приборов на их основе. 5 н. и 20 з.п. ф-лы, 21 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента