US 6232647 B1, 15.05.2001. RU 2204181 C2, 10.05.2003. US 2010/093168 A1, 15.04.2010. US 7534696 B2, 19.05.2009. US 6562732 В2, 13.05.2003. US 5461003 А, 24.10.1995. FR 2881574 A1, 04.08.2006. WO 2006/059262 A1, 08.06.2006.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Изобретатели:
Валеев Адиль Салихович (RU) Шишко Владимир Александрович (RU) Ранчин Сергей Олегович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления многоуровневых межсоединений интегральных микросхем с воздушными зазорами включает формирование на подложке первого проводящего и первого диэлектрического слоев, формирование отверстий в первом диэлектрическом слое, формирование вертикальных проводников, путем газофазного осаждения второго проводящего слоя, покрывающего поверхность и заполняющего отверстия, и удаления этого слоя с поверхности первого диэлектрического слоя химико-механической полировкой, стравливание части первого диэлектрического слоя селективно к материалу второго проводящего слоя, формирование маски с рисунком горизонтальных проводников, локальное травление первого диэлектрического и первого проводящего слоев, удаление маски, в результате чего формируются горизонтальные проводники, покрытые нестравленной частью первого диэлектрического слоя и разделенные зазорами, неконформное осаждение второго диэлектрического слоя с формированием сомкнутых воздушных зазоров. Затем проводят химико-механическую полировку второго диэлектрического слоя до вскрытия поверхности вертикальных проводников, после чего повторяют цикл формирования следующего уровня проводников и формируют пассивирующий слой. Изобретение обеспечивает снижение времени задержки распространения сигналов, повышение надежности и выхода годных изделий, а также расширение технологических возможностей изготовления. 5 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента