Диковский В.И. Псевдосплавы тугоплавкого металла с медью для изготовления фланцев корпусов мощных СВЧ транзисторов. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, выпуск 1,2, 2005, с.74-79. Сидоров В.А. Особенности конструкции и технологии изготовления корпусов СВЧ полупроводниковых приборов. Электронная техника. Серия 2.Полупроводниковые приборы, выпуск 1,2, 2005, с.117,118. RU 2054750 C1, 20.02.1996. RU 44875 U1, 27.03.2005.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники" (RU)
Изобретатели:
Кожевников Владимир Андреевич (RU) Бражникова Тамара Ивановна (RU) Марченко Олег Васильевич (RU) Пахомов Олег Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ и СВЧ транзисторов. Изобретение направлено на исключение прогиба фланцев, изготовленных из псевдосплава медь-молибден, которое возникает в процессе пайки корпусов высокотемпературным припоем, и обеспечение контакта всей площади фланцев с теплоотводом для повышения энергетических параметров и надежности транзисторов. Сущность изобретения: при изготовлении фланца корпуса мощного СВЧ транзистора из псевдосплава медь-молибден при вырубке фланцы ориентируют по отношению к направлению проката листа псевдосплава МД-40 таким образом, чтобы длинная сторона фланца была параллельна направлению проката. В результате анизотропии псевдосплава коэффициент термического линейного расширения вдоль фланца находится в пределах 7,6÷8,4×10-6 1/°С, что соответствует коэффициенту термического линейного расширения бериллиевой керамики 7,6×10-6 1/°С, которую напаивают на фланец. Коэффициент термического линейного расширения поперек фланца составляет 9,1÷9,9×10-6 1/°С. Так как длина фланца значительно превосходит его ширину, то несоответствие коэффициента термического линейного расширения псевдосплава и керамики сконцентрировано исключительно на малых поперечных размерах, в результате чего прогиб фланцев в процессе пайки корпусов и эксплуатации транзисторов отсутствует. 3 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента