V.Graf et al. Fully Self-Aligned Shallow Implanted GaAs MESFET. Proc. 14th Int. Symp.GaAs and Related Comnpounds, 1987, Heraklion, Greece. RU 2349987 C1, 20.03.2009. RU 2192069 C2, 27.10.2002. RU 2046453 C1, 20.10.1995. SU 1507131 A1, 10.04.2004. EP 0528742 A1, 24.02.1993. US 5196357 A, 23.03.1993.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)
Изобретатели:
Арыков Вадим Станиславович (RU) Гаврилова Анастасия Михайловна (RU) Дедкова Ольга Анатольевна (RU) Лиленко Юрий Викторович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов. Изобретение обеспечивает повышение напряжений пробоя затвор-сток за счет формирования структуры со слаболегированными стоком и истоком, уменьшение привносимой в приповерхностный слой канала дефектности, а также создание возможности для формирования электрода затвора большой высоты за счет получения оптимального профиля диэлектрического макета затвора. Сущность изобретения: в способе изготовления GaAs полевых транзисторов с самосовмещенным затвором субмикронной длины создают канал n-типа проводимости путем ионного легирования полуизолирующих подложек арсенида галлия однозарядными ионами кремния, осаждают четыре слоя оксида кремния различных по составу и с различной скоростью жидкостного травления, при этом слои с большей и меньшей скоростью жидкостного травления чередуются, формируют многослойный диэлектрический макет затвора реактивно-ионным травлением диэлектрических слоев так, что часть толщины первого слоя диэлектрика остается на поверхности, после чего проводят травление столбика с одновременным удалением оставленной части первого слоя, ионное легирование контактных областей истока и стока с помощью двух наклонных имплантаций с использованием макета затвора в качестве элемента самосовмещения, высокотемпературный активационный отжиг, планаризацию поверхности фоторезистом, реактивное ионное травление фоторезиста, замену многослойного диэлектрического макета на металлический затвор и создают омические контакты. 3 з.п. ф-лы, 12 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента