Giovanni De Micheli, YusufLeblebici.Martm Gijs, Janos Voros «Nanosystems Design and Technology», Springer, 2009, pp 46-47. US 7297615 B2, 20.11.2007. US 2007/287238 A1, 13.12.2007. WO 2008/048704 A2, 24.04.2008. RU 2359359 C1, 20.06.2009.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственный заказчик Министерство образования и науки (RU), Федеральное государственное учреждение Научно-Производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники (RU)
Изобретатели:
Кузнецов Евгений Васильевич (RU) Рыбачек Елена Николаевна (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственный заказчик Министерство образования и науки (RU) Федеральное государственное учреждение Научно-Производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых микро- и наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе изготовления наноразмерных проволочных кремниевых структур на кремниевой подложке последовательно создают слой SiO2, слой кремния и затем опорный слой, на котором методами фотолитографии и ионно-плазменным травлением формируют рельеф с вертикальными стенками в местах будущего расположения наноразмерных элементов, на полученном рельефе конформно создают слой материала для формирования спейсера, который анизотропным травлением удаляют с горизонтальных поверхностей, а его часть, прилегающую к вертикальным стенкам рельефа, используют в качестве маски при анизотропном травлении наноразмерных кремниевых структур, причем в качестве опорного слоя используют рельеф с вертикальными стенками в кремнии, конформный слой создают термическим окислением поверхности кремния, а в качестве маски при травлении наноразмерных кремниевых структур используют окисленную вертикальную поверхность рельефа конформного слоя на кремнии. 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента