US 6320245 В1, 20.11.2001. RU 2320049 С2, 20.03.2008. US 5670816 А, 23.09.1997. US 2005/0202641 A1, 15.09.2005. EP 0442144 A2, 21.08.1991. EP 1542289 A1, 15.06.2005.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Конструкторско-технологический центр "ЭЛЕКТРОНИКА" (RU)
Изобретатели:
Быстрицкий Алексей Викторович (RU) Мещеряков Николай Яковлевич (RU) Цыбин Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Конструкторско-технологический центр "ЭЛЕКТРОНИКА" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники и предназначено для изготовления радиационно-стойких БИС. Сущность изобретения: способ изготовления радиационно-стойких БИС включает создание на исходной подложке полевого оксида кремния и активных областей транзисторов, охранных областей, затворного оксида кремния, поликремниевых областей затворов транзисторов и межсоединений, масок для легирования примесями n- и р-типа охранных активных областей и активных областей транзисторов, межслойной изоляции, контактных окон и металлизации БИС. В процессе создания активных областей между каналами, стоками, истоками транзисторов n-типа и охранными областями р-типа формируют дополнительные буферные канальные участки, а затворный оксид кремния создают после образования полевого оксида кремния. При формировании затворов транзисторов создают дополнительные поликремниевые затворные охранные области, полностью перекрывающие буферные канальные участки активных областей. Маска для легирования активных областей n-типа частично открывает полевые области и дополнительные поликремниевые затворные области на участках, примыкающих к каналам транзисторов n-типа. Маска для легирования активных областей р-типа частично открывает дополнительные поликремниевые затворные области на участках, примыкающих к охранным областям р-типа. Изобретение обеспечивает повышение степени интеграции и упрощение способа. 13 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента