RU 2388110 C1, 27.04.2010. Low-Bias CTIA Multiplexer for 1024 Element InGaAs Line Sensors. Walter F. Kosonocky at all. SPIE, v.2226, 1994, p.152. RU 2005308 C1, 30.12.1993. RU 2073254 C1, 10.02.1997. US 6275059 B1, 14.08.2001. US 2007216439 A1, 20.09.2007.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Акимов Владимир Михайлович (RU) Васильева Лариса Александровна (RU) Демидов Станислав Стефанович (RU) Лисейкин Виктор Петрович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевой пластине с годными кристаллами МОП мультиплексоров вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносят слой индия, формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку в каждом кристалле. При этом область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку, выполняют в виде полос, расположенных только над истоками МОП транзисторов. Затем проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых дефектов и проводят формирование In столбиков. Способ позволяет увеличить надежность метода обнаружения скрытых дефектов кремниевых МОП мультиплексоров за счет исключения прямых закороток стоковых областей на подложку. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента