RU 2357319 С1, 27.04.2009. RU 2018190 С1, 15.08.1994. SU 1318618 А1, 23.06.1987. FR 2248764 А, 16.05.1975. US 6153533 А, 28.11.2000. US 4653636 А, 31.03.1987. ЕР 0100539 А2, 15.02.1984.
Имя заявителя:
Зайцев Игорь Иванович (RU), Максимова Валентина Дмитриевна (RU), Сейфединова Рушания Мансуровна (RU), Скачкова Дарья Александровна (RU), Сорокин Юрий Иванович (RU), Широкова Марина Валентиновна (RU), Скорова Галина Валериановна (RU)
Изобретатели:
Зайцев Игорь Иванович (RU) Максимова Валентина Дмитриевна (RU) Сейфединова Рушания Мансуровна (RU) Скачкова Дарья Александровна (RU) Сорокин Юрий Иванович (RU) Широкова Марина Валентиновна (RU) Скорова Галина Валериановна (RU)
Патентообладатели:
Зайцев Игорь Иванович (RU) Максимова Валентина Дмитриевна (RU) Сейфединова Рушания Мансуровна (RU) Скачкова Дарья Александровна (RU) Сорокин Юрий Иванович (RU) Широкова Марина Валентиновна (RU) Скорова Галина Валериановна (RU)
Реферат
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время диффузионной обработки. Сущность изобретения: кассета для диффузионной обработки полупроводниковых пластин содержит четыре параллельных цилиндрических стержня с пазами. Верхний из стержней выполняет функцию крышки и расположен с возможностью крепления с противоположных торцов после размещения в кассете пластин, нижний - выполняет функцию дна кассеты, а пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму. Стержни выполнены из нелегированного поликристаллического кремния, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней. Стержни расположены так, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см. Боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности. Ширина пазов в боковых стрежнях больше толщины обрабатываемых пластин на 60-100%. Изобретение обеспечивает исключение потерь пластин на операции диффузионной термообработки.
Поиск патентов
Получить полное описание патента