SU 1464797 А1, 20.11.1995. SU 1176777 А1, 10.05.1995. RU 2018191 С1, 15.08.1994. БОРОДКИН И.И. Восстановление и корректировка пороговых напряжений мощных СВЧ кремниевых полевых транзисторных структур после воздействия плазменных обработок. Радиолокация, навигация, связь. Материалы международной научно-технической конференции. В. НПФ САКВОЕЕ, 2009, т.2, с.958-964.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники" (RU)
Изобретатели:
Бородкин Игорь Иванович (RU) Асессоров Валерий Викторович (RU) Кожевников Владимир Андреевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов. Сущность изобретения: в способе восстановления порогового напряжения МДП-транзисторных структур наведенный положительный заряд, образованный в результате процесса ионно-лучевого травления при формировании металлических слоев структуры, нейтрализуется фотоэмиссией электронов при дополнительном облучении пластин источником ближнего ультрафиолета с энергией квантов 4,0÷6,0 эВ в течение 15÷20 мин. Техническим результатом изобретения является нейтрализация наведенного заряда в процессе плазменных обработок при формировании металлизации МДП-транзисторных структур, восстановление пороговых напряжений, стабилизация зарядовых свойств и увеличение процента выхода годных и надежности изделий. 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента