RU 2129320 C1, 20.04.1999. RU 2153208 C1, 20.07.2000. RU 2336224 C1, 20.10.2008. RU 2008135603 A, 10.03.2010. US 2009023288 A1, 22.01.2009. US 2009191311 A1, 26.11.2009. US 2008286449 A1, 20.11.2008.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки (RU), Федеральное государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический Центр" Московского государственного института электронной техники (RU)
Изобретатели:
Сауров Александр Николаевич (RU) Манжа Николай Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки (RU) Федеральное государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический Центр" Московского государственного института электронной техники (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии формирования наноэлектронных структур. Сущность изобретения: в способе получения нанослоев на сформированном на подложке первом жертвенном слое формируют второй жертвенный слой, наносят фоторезист, формируют в фоторезисте окно, травят второй и первый жертвенные слои до подложки в окнах фоторезиста, после чего формируют нанослой, удаляют нанослой и второй жертвенный слои с горизонтальных участков первого жертвенного слоя, удаляют нанослой на дне вытравленного окна, удаляют первый жертвенный слой. Способ позволяет получать полупроводниковые, диэлектрические, металлические, полицидные, нитридметаллические и карбидполупроводниковые нанослой на стандартном технологическом оборудовании, используемом для производства интегральных микросхем. 14 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента