US 5861327 А, 19.01.1999. RU 2192069 С2, 27.10.2002. RU 2031481 C1, 20.03.1995. US 6077733 A, 20.06.2000. US 2009023288 A1, 22.01.2009.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) (RU)
Изобретатели:
Егоркин Владимир Ильич (RU) Шмелев Сергей Сергеевич (RU) Трегубова Елена Владимировна (RU) Зайцев Алексей Александрович (RU) Никифоров Денис Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора с Т-образным управляющим электродом включает выделение на подложке арсенида галлия с нанесенным вспомогательным слоем диэлектрика активной области прибора, в пределах которой формируют устройство. На данную подложку наносят слой резиста, подходящего для наноимпринт литографии, и проводят горячее тиснение штампа. Штамп создают на подложке с ориентацией [100] «взрывной фотолитографией», для проведения которой используют комплект фотошаблонов, зеркальный к рабочему. После «взрыва» фоторезиста на подложке остаются полоски металла, которые ориентированы под углом 45±2 градусов по отношению к базовому срезу. Следующей операцией является травление подложки, после которого под полосками металла образуются прямоугольные выступы, образующие рельеф штампа. После копирования данного рельефа в резист проводят плазмохимическое травление, в ходе которого слой диэлектрика дотравливается до подложки в местах, соответствующих выступам рельефа штампа. Далее резист удаляют и наносят слой фоторезиста. Фотолитографией с использованием рабочего комплекта фотошаблонов в нем формируют Т-образные управляющие электроды. Изобретение обеспечивает уменьшение длины каналов транзисторов, упрощение и удешевление изготовления приборов и интегральных схем на их основе.
Поиск патентов
Получить полное описание патента