US 5635423 А, 03.06.1997. RU 2165114 C1, 10.04.2001. RU 2230391 C2, 10.06.2004. US 5591480 A, 07.01.1997. US 6762501 B1, 13.07.2004. US 7279410 B1, 09.10.2007. GB 2169446 A, 09.07.1986.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Изобретатели:
Красников Геннадий Яковлевич (RU) Валеев Адиль Салихович (RU) Шелепин Николай Алексеевич (RU) Гущин Олег Павлович (RU) Воротилов Константин Анатольевич (RU) Васильев Владимир Александрович (RU) Аверкин Сергей Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем. Сущность изобретения: в способе изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС, включающем операции нанесения металлических и диэлектрических слоев, фотолитографию и селективное травление этих слоев, химико-механическую полировку диэлектрических слоев, на пластину кремния, покрытую диэлектриком, с выступающими на ее поверхности вертикальными проводниками нижележащей структуры наносится многослойная проводящая пленка, состоящая из адгезионно-барьерного, затравочного и вспомогательного слоев, во вспомогательном слое формируются канавки до затравочного слоя электрохимическим методом, внутри канавок на открытых участках затравочного слоя выращиваются медные горизонтальные проводники до полного заполнения канавок, на поверхность пластины наносится второй вспомогательный слой, в котором формируются отверстия до поверхности горизонтальных медных проводников, электрохимическим методом на открытых участках горизонтальных проводников выращиваются вертикальные медные проводники до полного заполнения отверстий для вертикальных проводников, далее удаляются вспомогательные слои, удаляются проводящие слои между горизонтальными медными проводниками, на поверхность пластины наносятся диэлектрические слои сглаживающим и заполняющим методами и далее методом химико-механической полировки слои диэлектрика над вертикальными проводниками удаляются. Изобретение обеспечивает улучшение качества медных проводников. 15 з.п. ф-лы, 11 ил, 1 табл.