RU 2216818 C1, 20.11.2003. RU 2306631 C2, 20.09.2007. RU 2117070 C1, 10.08.1998. JP 2001123271 A, 08.05.2001. JP 2004064018 A, 28.02.2004.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Галанихин Александр Васильевич (RU) Галанихин Павел Александрович (RU) Лапин Владимир Григорьевич (RU) Петров Константин Игнатьевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии полупроводниковых структур. Сущность изобретения: в способе изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники, включающем формирование, по меньшей мере, одного слоя заданного диэлектрического материала пленки посредством плазмохимического осаждения с заданным режимом автосмещения, перед плазмохимическим осаждением упомянутого основного слоя заданного диэлектрического материала пленки формируют дополнительный слой из диэлектрического материала - диоксида кремния толщиной, равной 0,01-0,15 мкм, посредством химического осаждения из газовой смеси моносилана и кислорода, при этом химическое и плазмохимическое осаждение диэлектрического материала каждого из слоев пленки - дополнительного и основного осуществляют при температуре 80-180°С. Техническим результатом изобретения является сохранение характеристик полупроводниковых структур путем максимально возможного исключения нарушения полупроводниковой структуры в процессе изготовления диэлектрической пленки, расширение функциональных возможностей и упрощение способа при сохранении характеристик самой диэлектрической пленки. 5 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента