

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ

Номер публикации патента: 2418343

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2009145369/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/322
Аналоги изобретения:	RU 2340038 С2, 27.11.2008. SU 1797403 A1, 27.03.1995. US 4970568 A, 13.11.1990. WO 03/001583 A2, 03.01.2003. JP 2004356456 A, 16.12.2004.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU)
Изобретатели:	Мустафаев Абдулла Гасанович (RU) Мустафаев Гасан Абакарович (RU) Мустафаев Арслан Гасанович (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU)

Реферат

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение значений токов утечек и подавление паразитного тиристорного эффекта в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковой структуры, включающем процессы ионного легирования и формирования геттера в кремниевой пластине, геттер формируют путем имплантации атомов кислорода в кремниевую пластину с концентрацией (1,6-1,8)·10¹⁶ см^-3 с последующим отжигом пластин кремния в течение 4-6 часов в сухом кислороде при температуре 1100-1200°С и разгонной примеси в n-область в течение 6-9 часов в атмосфере азота при температуре 600-800°С. 1 табл.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"