Low-Bias CTIA Multiplexer for 1024 Element InGaAs Line Sensors. WALTER F., KOSONOCKY at all. SPIE, v.2226, 1994, p.152. RU 2005308 C1, 30.12.1993. RU 2073254 C1, 10.02.1997. SU 1772772 A1, 30.10.1992. US 6275059 B1, 14.08.2001. US 2007216439 A1, 20.09.2007. US 2008/0054931 A1, 06.03.2008. US 6746883 B2, 08.06.2004. US 5642364 A, 24.06.1997. GB 2372629 A, 28.08.2002.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Акимов Владимир Михайлович (RU) Васильева Лариса Александровна (RU) Есина Юлия Владимировна (RU) Климанов Евгений Алексеевич (RU) Лисейкин Виктор Петрович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого МОП мультиплексора, заключающемся в том, что на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносят слой индия толщиной, равной высоте индиевых столбиков, необходимой для стыковки МОП мультиплексора со столбиками кристалла фоточувствительного элемента, формируют на слое индия рельеф высотой 34 мкм в местах будущих столбиков, формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку, проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых дефектов формируют индиевые столбики высотой, необходимой для стыковки МОП мультиплексора со столбиками кристалла фоточувствительного элемента. Способ прост и является частью технологического процесса изготовления столбиков. 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента