Ардышев В.М., Ардышев М.В. Активация и распределение кремния, имплантированного в арсенид галлия, при изотермическом радиационном отжиге. ФТП, 1998, т.32, вып.10, стр.1153. R.Ghez, et all. Exact description and data fitting of ion-implanted dopant profile evolution during anneling. Appl. Phys. Lett., 45 (8), 1984, pp.881-883. SU 1053189 A,07.11.1983. SU 658627 A, 28.04.1979. SU 324592 A, 03.03.1972. US 5627329 A, 06.05.1997.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU)
Изобретатели:
Астахов Владимир Петрович (RU) Боднарь Олег Борисович (RU) Гиндин Павел Дмитриевич (RU) Карпов Владимир Владимирович (RU) Лихачёв Геннадий Михайлович (RU) Попов Павел Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU)
Реферат
Изобретение относится к методам определения коэффициента диффузии примесных атомов в полупроводнике и позволяет по данным вольт-фарадной характеристики p-n перехода и математической модели процесса диффузии, в результате которого создан p-n переход, определять концентрационные профили введенной в полупроводник примеси. Техническим результатом является уменьшение стоимости и трудоемкости контроля технологических процессов и разработки технологии изготовления полупроводниковых приборов с одним или несколькими p-n переходами. Сущность изобретения: способ определения коэффициента диффузии примесных атомов в полупроводнике заключается в том, что в слаболегированном полупроводнике при заданных условиях диффузии, для которых определено математическое выражение концентрационного профиля распределения примесных атомов с коэффициентом диффузии в качестве аргумента, создают p-n переход, при двух значениях обратного напряжения на p-n переходе измеряют значения его емкости, определяют параметр модуляции ширины области пространственного заряда p-n перехода n, также производят расчет численной зависимости того же параметра модуляции от параметра диффузии Dt, являющегося произведением коэффициента диффузии D на продолжительность процесса диффузии t, решением системы уравнений, определяют значение параметра диффузии Dt, соответствующее эксперименту, из которого делением на продолжительность процесса диффузии t определяют коэффициент диффузии D. 4 з.п. ф-лы, 1 ил, 3 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента