Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)
Изобретатели:
Сауров Александр Николаевич (RU) Манжа Николай Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самомасштабируемой самосовмещенной транзисторной структуры включает формирование на подложке первого типа проводимости первого диэлектрического слоя, сплошного введения примеси второго типа проводимости с последующим отжигом для формирования коллекторной области, формирование на первом диэлектрическом слое первого слоя поликристаллического кремния, формирование на нем второго диэлектрического слоя, вскрытие окон для формирования щели под изолирующую область и контакт к подложке, травление в окне второго диэлектрического слоя, первого слоя поликристаллического кремния, первого диэлектрического слоя и частично подложки на глубину, равную области пространственного заряда, формирование на боковых стенках щели третьего диэлектрического слоя, формирование противоканальной области на дне щели, формирование в щели четвертого диэлектрического слоя, локальное удаление со дна щели под контакт к подложке третьего и четвертого диэлектрических слоев, заполнение щели вторым слоем поликристаллического кремния, планаризацию последнего до второго диэлектрического слоя, травление второго слоя поликристаллического кремния в щели на глубину, равную второму диэлектрическому слою, локальное легирование контакта к подложке примесью первого типа проводимости, формирование пятого диэлектрнического слоя над вторым слоем поликристаллического кремния в щели, вскрытие окон во втором диэлектрическом слое на месте будущего контакта к коллекторной области и на месте будущих эмиттерной и базовой областей, между которыми расположен будущий контакт к базовой области, травление первого слоя поликристаллического кремния на половину его толщины, локальное травление первого слоя поликристаллического кремния на месте будущего контакта к коллекторной области до первого диэлектрического слоя, формирование на вертикальных стенках вытравленных окон шестого диэлектрического слоя, травление второго диэлектрического слоя, травление первого слоя поликристаллического кремния на месте будущего эмиттера и контакта к базовой области до первого диэлектрического слоя, травление со дна окон первого диэлектрического слоя, формирование гидридной эпитаксией полимонокристаллического слоя, при этом во вскрытых окнах до кремния наращивается монокристаллический кремний, а над диэлектрическими и поликристаллическими слоями наращивается поликристаллический кремний, планаризацию поликристаллического слоя до пятого диэлектрического слоя, локальное легирование контакта к коллекторной области примесью второго типа проводимости, локальное легирование контакта к базовой области примесью первого типа проводимости, термический отжиг, локальное легирование базовой области и подлегирование контакта к ней примесью первого типа проводимости, локальное легирование эмиттерной области и подлегирование контакта к коллекторной области примесью второго типа проводимости, термический отжиг для формирования областей транзисторной структуры, формирование разводки транзисторной структуры силицидом тугоплавкого металла. Изобретение обеспечивает повышение плотности компановки транзисторных структур и улучшение параметров транзисторов на их основе. 1 з.п. ф-лы, 15 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента