RU 2133998 C1, 27.07.1999. US 4948458 A, 14.08.1990. US 6793768 B2, 21.09.2004. WO 93/23874 A1, 25.11.1993.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет), (МИЭТ) (RU)
Изобретатели:
Виноградов Анатолий Иванович (RU) Голишников Александр Анатольевич (RU) Зарянкин Николай Михайлович (RU) Тимошенков Сергей Петрович (RU) Путря Михаил Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет), (МИЭТ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к реакторам для высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки полупроводниковых структур. Сущность изобретения: в реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур вводится магнитная система, создающая постоянное магнитное поле, силовые линии которого направлены по оси реактора. Осевое магнитное поле, создаваемое магнитной системой, ограничивает уход электронов из плазмы на стенки реактора, повышая таким образом эффективность ионизации и увеличивая плотность плазмы при неизменной мощности, потребляемой разрядом. Магнитная система в простейшем случае содержит катушку, расположенную снаружи реактора, которая запитывается постоянным током. Для повышения эффективности магнитного поля магнитная система может состоять из двух катушек, включенных в одном направлении. В этом случае в пространстве над электродом-подложкодержателем образуется магнитная ловушка, более эффективно удерживающая электроны, что приводит к повышению степени ионизации плазмы. Достигнута однородность травления по пластине диаметром 100 мм не хуже 97%. Техническим результатом изобретения является реактор трансформаторно связанной плазмы с индукционной системой возбуждения разряда, позволяющий увеличить плотность плазмы и, как следствие, повысить скорости плазмохимической обработки. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента