ЕР 0276914 А2, 03.08.1988. US 6429098 В1, 08.08.2002. US 5084411 А, 28.01.1992. US 5256550 А, 26.10.1993. US 4861393 А, 29.08.1989. RU 2210836 С1, 20.08.2003. SU 1245161 А1, 23.06.1990.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) (RU)
Изобретатели:
Постников Владислав Васильевич (RU) Новиков Алексей Витальевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии эпитаксиального нанесения полупроводниковых материалов на подложку. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности и расширение ассортимента формируемых высококачественных кремний-германиевых гетероструктур в результате улучшения контролируемости молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур за счет точного регулирования режима осаждения кремния и германия в оптимальном интервале величин скоростей, уменьшения концентрации неконтролируемых примесей в полученных предлагаемым образом гетероструктурах, а также снижение ресурсных затрат на подготовку технологического оборудования. Сущность изобретения: в способе выращивания кремний-германиевых гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии указанных структур за счет испарения кремния и германия из раздельных тигельных молекулярных источников на основе электронно-лучевых испарителей, испарение кремния ведут в автотигельном режиме из кремниевого расплава в твердой кремниевой оболочке, а испарение германия - из германиевого расплава в кремниевом вкладыше, представляющем собой выработанный ранее полый остаток, образовавшийся в результате испарения кремния в автотигельном режиме, и расположенном в тигельной полости охлаждаемого корпуса тигельного блока электронно-лучевого испарителя, используемого для создания молекулярного потока германия. При этом процесс эпитаксии регулируют с учетом выбора скорости осаждения германия, определенной из представленной зависимости. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента