ПАРФЕНОВ О.Д. Технология микросхем. - М.: Высшая школа, 1986, с.114, рис.1.74. RU 2071142 C1, 27.12.1996. RU 1454116 C, 25.07.1995. SU 1044203 A, 23.04.1988. RU 2220475 C1, 27.12.2003. US 5286343 A, 15.02.1994. DE 4021424 A1, 24.01.1991.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) (RU)
Изобретатели:
Подвигалкин Виталий Яковлевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных приборов, вакуумных интегральных СВЧ-схем и других микросхем. Технический результат - уменьшение потерь СВЧ-энергии, повышение уровня интеграции. Достигается тем, что в микропрофиле, включающем расположенные на расстоянии друг от друга (с зазором) пленочные элементы рабочей топологии, сопряженные с поверхностью диэлектрического носителя, выполнена симметрично совмещенная с рабочей топологией сквозная микрополость с образованием над ней нависающих кромок пленочных элементов рабочей топологии и тупого угла заданной величины между ними и стенками микрополости. Сущность способа изготовления микропрофиля заключается в том, что методом селективного травления сквозную микрополость выполняют в диэлектрическом носителе, начиная ее формирование со стороны, противоположной стороне, сопряженной с рабочей топологией, и продолжают до образования над ней нависающих кромок пленочных элементов и тупого угла между ними и стенками микрополости. 2 н.п. ф-лы, 7 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента