RU 2300158 C1, 27.05.2007. RU 2258274 C1, 10.08.2005. RU 2003132193 A, 20.04.2005. US 2001020726 A1, 13.09.2001.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (RU)
Изобретатели:
Амиров Ильдар Искандерович (RU) Постников Александр Владимирович (RU) Морозов Олег Валентинович (RU) Валиев Камиль Ахметович (RU) Орликовский Александр Александрович (RU) Кальнов Владимир Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния. Способ включает выполнение в объеме кремниевой пластины канавок и удаление кремния с обратной стороны пластины для вскрытия дна канавок. При этом канавки выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, а затем проводят окисление на всю толщину стенок с образованием системы диэлектрических SiO2-перемычек. Удаление кремния с обратной стороны пластины может проводиться методом глубокого плазменного травления. Изобретение обеспечивает достижение высокой прочности изолирующего элемента, который может использоваться для изготовления различных МЭМС устройств в объеме стандартной пластины кремния. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента