БЕССОЛОВ В.Н. и др. Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония. Физика и техника полупроводников, т.31, 11, 1997, с.1350-1356. RU 2341848 C1, 20.12.2008. US 4302278 А, 24.11.1981. WALDROP J.R. Influence of S and Se on the Schottky-barrier height and interface chemistry ofAu contacts to GaAs. J.Vac. Sci. Technol. 1985, 3, с.1197-1201.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU)
Изобретатели:
Ерофеев Евгений Викторович (RU) Ишуткин Сергей Владимирович (RU) Кагадей Валерий Алексеевич (RU) Носаева Ксения Сергеевна (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АIIIBV, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. Изобретение позволяет улучшить электрические параметры границы раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник, сформированных на пассивированной поверхности GaAs. Сущность изобретения: способ пассивации поверхности GaAs включает химическую очистку поверхности пластины GaAs, окисление в растворе перекиси водорода Н2O2 в течение 1-10 мин, халькогенизацию в растворе (NH4)2S и удаление остатков раствора. Целесообразно также после химической очистки поверхности пластины GaAs и ее окисления проводить операции технологического маршрута изготовления полупроводникового прибора, а халькогенизацию пластины GaAs выполнять непосредственно перед осаждением тонких металлических пленок или тонкой диэлектрической пленки. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента