RU 2323872 Cl, 10.05.2008. WO 2004/114422 A1, 29.12.2004. WO 2004/109815 A1, 16.12.2004. US 2004252737 A1, 16.12.2004. US 2006189018 A1, 24.08.2006. RU 2270164 С2, 27.03.2005.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) (RU), Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Федеральное агентство по науке и инновациям (RU)
Изобретатели:
Кононенко Олег Викторович (RU) Панин Геннадий Николаевич (RU) Редькин Аркадий Николаевич (RU) Баранов Андрей Николаевич (RU) Канг Тае-Вон (KR)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) (RU) Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Федеральное агентство по науке и инновациям (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д. Изобретение обеспечивает повышение качества р-n перехода за счет получения совершенного р-n перехода на основе совместимых друг с другом компонентов, в котором отсутствует его закорачивание. Сущность изобретения: способ получения гетерогенного р-n перехода на основе наностержней оксида цинка включает выращивание методом газофазного осаждения вертикально ориентированных и смыкающихся у основания наностержней оксида цинка на проводящей подложке из легированного кремния, с последующим осаждением на них оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней. Осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней. 4 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента