Н.Н.Михайлов и др. Эллипсометрический контроль роста наноструктур на основе CdxHgi-xTe, Автометрия, 2003, том 39, 2, с.71-79. V.S.Varavin et all. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices. Opto-electronics review. 11, 2, 2003, р.р.99-111. SU 1689815 A1, 07.11.1991. RU 2133956 C1, 27.07.1999. US 7358494 B1,15.04.2008. US 7259850 B2, 21.08.2007. US 5091320 A, 25.02.1992. WO 98/28606 A1, 02.07.1998. JP 2006349648 A, 28.12.2006.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (RU)
Изобретатели:
Михайлов Николай Николаевич (RU) Дворецкий Сергей Алексеевич (RU) Швец Василий Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике, к способам оптико-физических измерений, базирующихся на эллипсометрии, и предназначено для контроля состава материала по толщине выращиваемых слоев с градиентом состава. Сущность изобретения: в способе контроля состава материала при формировании структуры в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров и , вычисляют производную, при этом в качестве функции выбирают один из эллипсометрических параметров, а в качестве аргумента - другой эллипсометрический параметр, результаты вычисления фиксируют в плоскости производная эллипсометрического параметра - эллипсометрический параметр в виде кривой, по которой определяют оптические постоянные, изменение состава материала слоя, причем вычисление производной эллипсометрического параметра осуществляют с точностью, достаточной в представлении производная эллипсометрического параметра - эллипсометрический параметр для соотнесения получаемых кривых с контролируемыми слоями разного градиента состава, которая задана используемым при контроле эллипсометром. Изобретение обеспечивает возможность неразрушающего контроля состава материала при росте структур, в том числе и многослойных, характеризующихся наличием существенного градиента состава. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента