

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА, СОЗДАННОГО С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ С ВЫСОКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЗАТВОРОВ, И СТРУКТУРА ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА

Номер публикации патента: 2393587

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008138892/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/8238 H01L027/092 B82B001/00 B82B003/00
Аналоги изобретения:	US 6407435 B1, 18.06.2002. WO 2005122286 A2, 22.12.2005. US 2006220143 A1, 05.10.2006. US 2006189075 A1, 24.08.2006. SU 1828723 A3, 10.02.1996.

Имя заявителя:	Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)
Изобретатели:	Зенкевич Андрей Владимирович (RU) Лебединский Юрий Юрьевич (RU) Матвеев Юрий Александрович (RU) Неволин Владимир Николаевич (RU)
Патентообладатели:	Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)

Реферат

Изобретение относится к области микроэлектроники. Способ формирования полевого КМОП транзистора включает осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости толщиной от 1-10 нм, на поверхность которого наносят промежуточный слой из сурьмы (Sb) толщиной 0.15-0.41 нм. Металлический затвор выполнен из силицида никеля (NiSi) толщиной от 300-3000 нм. Полупроводниковая подложка может быть выполнена из кремния (Si), на которой выполнен подслой SiQ₂ толщиной 0.1-1 нм. Также предложена структура, изготовленная описанным выше способом. Изобретение обеспечивает управление напряжением переключения полевого транзистора n-типа и уменьшение напряжения переключения полевого транзистора n-типа с увеличением стабильности напряжения переключения. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"