СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА, СОЗДАННОГО С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ С ВЫСОКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЗАТВОРОВ (ВАРИАНТЫ)
WO 2005/122286 А2, 22.12.2005. US 7238996 B2, 03.07.2007. US 6538278 B1, 25.03.2003. US 6407435 B1, 18.06.2002. RU 2305346 C2, 10.05.2006.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)
Изобретатели:
Зенкевич Андрей Владимирович (RU) Лебединский Юрий Юрьевич (RU) Матвеев Юрий Александрович (RU) Неволин Владимир Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов, в частности к способам управления напряжением срабатывания полевого КМОП транзистора. Техническим результатом изобретения является обеспечение управления напряжением переключения полевого транзистора n-типа и p-типа и уменьшения напряжения переключения полевого транзистора n-типа и p-типа с увеличением стабильности напряжение переключения. Сущность изобретения: в способе формирования полевого КМОП транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, включающем осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости, нанесение на него изолирующего слоя и осаждение металлического затвора, поверхность осажденного слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости подвергают отжигу в вакууме при температуре 500-800°С, с давлением остаточных газов менее 10-5 mbar, при продолжительности отжига 3-10 мин, после отжига осуществляют остывание в вакууме. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента