Zhang L.C. et all. Thermal stability and barrier height enhancement for refractory metal nitride contacts on GaAs. Appl. Phys. Lett. - 1987. V.50, N 8. p.445-447. EP 1788120 A1, 23.05.2007. WO 02/13241 A2, 14.02.2002. US 7276450 B2, 02.10.2007. US 2001/0044214 A1, 22.11.2001. EP 0849377 A2, 24.06.1998. JP 1223733 A, 06.09.1989. TW 14679 B, 21.12.2002. RU 2350688 C2, 27.03.2009.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU)
Изобретатели:
Алексеев Николай Васильевич (RU) Боргардт Николай Иванович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структур интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления. Сущность изобретения: слой TiN удаляется селективно к Al и SiO2 при реактивном ионном травлении его в плазме CF4+O2 при соотношении компонентов (см3/мин) 5:(30-40), рабочем давлении 20-30 Па, при плотности высокочастотной мощности 8-16 Вт/см2, которая достигается уменьшением активной площади электрода путем наложения на него кварцевого кольца толщиной более 3 мм для концентрации плазмы в области обработки. Изобретение обеспечивает повышение селективности травления слоя нитрида титана по отношению к SiO2 при сохранении высокой селективности травления к Аl. 1 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента