W.PITTROFF, G.ERBERT, G.BEISTER, F.BUGGE, A.KLEIN, A.KNAUER, J.MAEGE. Mounting of High Power Laser Diodes on Boron Neat Sinks Using an Optimized Au/Sn Metallurgy. IEEE Transactions and Advanced packaging. Vol.24, No. 4, November 2001. RU 2075140 C1, 10.03.1997. RU 2134472 C1, 10.08.1999. RU 2173913 C2, 20.09.2001. US 4947238 A, 07.08.1990. ЕР 0911920 А2, 28.04.1999.
Имя заявителя:
Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" (BY), Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "ИНЖЕКТ" (RU), Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению" (BY)
Изобретатели:
Безъязычная Татьяна Владимировна (BY) Беляева Ада Каземировна (BY) Богданович Максим Владимирович (BY) Кабанов Владимир Викторович (BY) Рябцев Геннадий Иванович (BY) Рябцев Андрей Геннадьевич (BY) Паращук Валентин Владимирович (BY) Тепляшин Леонид Леонидович (BY) Щемелев Максим Анатольевич (BY) Пожидаев Александр Викторович (BY) Красковский Андрей Сергеевич (BY) Титовец Сергей Николаевич (BY) Шишенок Николай Александрович (BY) Шишенок Елена Михайловна (BY) Леончик Сергей Викентьевич (BY) Микаелян Геворк Татевосович (RU) Соколов Сергей Николаевич (RU) Жиздюк Татьяна Борисовна (RU)
Патентообладатели:
Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" (BY) Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "ИНЖЕКТ" (RU) Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению" (BY)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой, оптоэлектронной технологии, квантовой электронике. Способ сборки лазерных диодных структур (активных элементов) на теплоотводящем основании из керамики нитрида бора включает нанесение на поверхность теплоотводящего основания последовательности металлических слоев, по крайне мере, металлизирующего слоя и слоя припоя, установку активного элемента на металлический слой, ориентирование его относительно основания, припаивание его при нагреве в восстановительной среде при механической нагрузке на элемент или без нее с последующим охлаждением. Согласно изобретению нанесение на поверхность теплоотводящего основания первого металлизирующего слоя осуществляют химическим способом толщиной 0,1-0,2 мкм путем осаждения металлического никеля из выдержанного электролита при следующем соотношении компонентов, мас.%: NiCl2·6H2O - 45÷55; NaH2PO2·H2O - 9÷13; (NH4)·HC6H5O7 - 60÷70; NH4Cl - 45÷55, нанесение слоя припоя SnPb (или In) осуществляют путем вакуумного напыления, а толщину слоя припоя выбирают в зависимости от размера лазерных структур. Изобретение обеспечивает упрощение процесса сборки и повышение воспроизводимости сборки, повышение надежности и качества контактного соединения, улучшение термокомпенсирующих параметров, а также возможность замены драгоценных материалов, используемых при сборке лазерных структур на теплоотводах.
Поиск патентов
Получить полное описание патента