RU 2284610 C1, 27.09.2006. RU 2206146 C1, 10.06.2003. RU 2169411 С1, 20.06.2001. RU 2086043 C1, 27.07.1997. US 4329774 A, 18.05.1982. US 6211769 B1, 03.04.2001. US 6646539 B2, 11.11.2003.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) (RU)
Изобретатели:
Асина Светлана Степановна (RU) Беккерман Дмитрий Юрьевич (RU) Богданова Любовь Юрьевна (RU) Карпинский Виктор Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к конструированию и технологии изготовления силовых полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых резисторов таблеточного исполнения, в частности резисторов-шунтов, характеризующихся низким значением номинального сопротивления 0,2÷1 мОм с пониженной температурной зависимостью сопротивления в рабочем интервале температур. Техническим результатом изобретения является расширение интервала номинальных сопротивлений в область низких значений (5 мОм) при сохранении температурной стабильности и себестоимости изготовления и, как следствие, расширение функциональных возможностей мощных кремниевых резисторов - использование их в качестве шунтов. Сущность изобретения: в мощном полупроводниковом резисторе, состоящем из резистивного элемента, выполненного в виде кремниевого диска n-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением от 7 Ом·см до 120 Ом·см, содержащего радиационные дефекты, резистивный элемент состоит из сильнолегированной n+-подложки и тонкого высокоомного эпитаксиального n-слоя, при этом радиационные дефекты имеют концентрацию Npд [см-3] в зависимости от исходного удельного сопротивления высокоомного эпитаксиального слоя n0 [Ом·см] от 4·1013 см-3 для n0=120 Ом·см до 7.5·1014 см-3 для n0=7 Ом·см, при этом радиационные дефекты получают путем облучения ускоренными электронами с энергией Е=2÷5 МэВ с последующим термическим отжигом. 2 н.п. ф-лы, 4 табл, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента