Low-Bias CTIA Multiplexer for 1024 Element InGaAs Line Sensors. Walter F. Kosonocky at all. SPIE, v.2226, 1994, p.152. RU 2005308 C1 30.12.1993. RU 2073254 C1, 10.02.1997. SU 1772772 A1, 30.10.1992. US 6275059 B1, 14.08.2001. US 2007216439 A1, 20.09.2007. US 2008/0054931 A1, 06.03.2008. US 6746883 B2, 08.06.2004. US 5642364 A, 24.06.1997. GB 2372629 A, 28.08.2002.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)
Изобретатели:
Акимов Владимир Михайлович (RU) Васильева Лариса Александровна (RU) Климанов Евгений Алексеевич (RU) Лисейкин Виктор Петрович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных МОП мультиплексоров на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрываются окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносят слой индия, формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку, проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых дефектов. Изобретение обеспечивает упрощение технологии тестирования. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента