RU 2171520 С2, 27.07.2001. RU 2167469 С2, 20.05.2001. RU 2033659 C1, 20.04.1995. WO 98/15974 A1, 16.04.1998. EP 0817254 A2, 07.01.1998.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU), ЗАО "ВЗПП-Микрон" (RU), ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов - Сборка" (RU)
Изобретатели:
Зенин Виктор Васильевич (RU) Бокарев Дмитрий Игоревич (RU) Гальцев Вячеслав Петрович (RU) Кастрюлев Александр Николаевич (RU) Кочергин Александр Валерьевич (RU) Хишко Ольга Владимировна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU) ЗАО "ВЗПП-Микрон" (RU) ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов - Сборка" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ сборки полупроводниковых приборов предусматривает пайку кристаллов к корпусам, для осуществления которой используют инструмент, состоящий из двух электродов, разделенных изолятором, в изоляторе имеется трубка для соединения с вакуумной системой, а в боковой верхней части инструмента расположена втулка для подключения к компрессору для подачи защитного газа в зону пайки, в инструменте на высоте Н от рабочей площадки электродов расположены радиальные отверстия для выхода газа из зоны пайки, причем общая площадь сечений радиальных отверстий несколько меньше площади сечения внутреннего отверстия втулки, что обеспечивает избыточное давление защитного газа в зоне пайки кристалла, присоединяемый кристалл захватывают инструментом - вакуумной присоской, и размещают над припоем, расположенным на контактной площадке корпуса, отключают вакуумную систему, в результате кристалл под действием силы тяжести опускается на припой контактной площадки корпуса, давление на кристалл осуществляют потоком защитного газа, подаваемого через втулку, пайку кристаллов проводят импульсом тока, подаваемого между электродами. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости производства ППИ; упрощение конструкции инструмента для пайки; обеспечение локального нагрева корпуса при пайке кристалла; осуществление защиты расплавленного припоя от образования оксидных пленок при пайке. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента