А.И.КУРНОСОВ. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980, с.88-89. SU 593646 А, 25.01.1978. RU 2060935 C1, 27.05.1996. JP 5017229 A, 26.01.1993. JP 5518622 A, 10.12.1980. JP 60258918 A, 20.12.1985. JP 60138915 A, 23.07.1985. US 6375752 B1, 23.04.2002.
Имя заявителя:
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Техническим результатом изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений. Сущность изобретения: удаление загрязнений с карбид-кремниевой трубы происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фтористоводородная кислота - HF, соляная кислота - НСl и деионизованная вода - Н2О в соотношении 1:1:3,5. Длительность обработки составляет 20±5 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 30±5 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.