А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа, 1980. 88-89 с. US 6217842 B1, 17.04.2001. JP 2008103650 A, 01.05.2008.
Имя заявителя:
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и полупроводниковых приборов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Сущность изобретения: способ первичного отжига карбид-кремниевой трубы включает двухстадийную обработку: на первой стадии температура - Т=400°С, расход азота - N2 - 600 л/ч, время - =90 минут, подъем температуры - Т=1200°С, расход азота - N2 - 600 л/ч, скорость подъема температуры - 5°С в минуту; на второй стадии температура - Т=1200°С, расход кислорода - О2 - 600 л/ч, соляная кислота - НСl - 20 л/ч, время обработки - =8 часов, снижение температуры - Т=850°С, расход азота - N2 - 600 л/ч, скорость снижения температуры - 3°С в минуту. По окончании обработку трубы проводят в растворе фтористоводородной кислоты и деионизованной воды в соотношении компонентов HF:Н2О=1:10 при комнатной температуре в течение 10 минут, после чего проводят отмывку в деионизованной воде в течение 15-20 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги. Изобретение позволяет удалять различные примеси и предотвратить образование дефектов на карбид-кремниевой трубе.
Поиск патентов
Получить полное описание патента