

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОСАДКИ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА НА ОСНОВАНИЕ КОРПУСА

Номер публикации патента: 2375787

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2005141101/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/58
Аналоги изобретения:	МАЗЕЛЬ Е.З., ПРЕСС Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия. 1974, с.318-321. RU 2173913 С2, 20.09.2001. SU 1674293 A1, 30.08.1991. US 4480261 A, 30.10.1984. WO 82/02457 A1, 22.07.1982. EP 0142692 A1, 29.05.1985. EP 0833384 A2, 01.04.1998. JP 58064036 A, 16.04.1983.

Имя заявителя:	ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (ДГТУ) (RU)
Изобретатели:	Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU) Шахмаева Айшат Расуловна (RU) Шангереева Бийке Алиевна (RU)
Патентообладатели:	ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (ДГТУ) (RU)

Реферат

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса полупроводникового прибора, включающем последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металлов и пайку кристалла к основанию корпуса, напыляют на посадочную поверхность кристалла два металла титан - германий, процесс проводят в едином технологическом цикле, а пайку кристалла к основанию корпуса проводят при температуре 300-320°С. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"