Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ БЕССВИНЦОВОЙ КОНТАКТНО - РЕАКТИВНОЙ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА К КОРПУСУ С ОБРАЗОВАНИЕМ ЭВТЕКТИКИ Al - Zn

Номер публикации патента: 2375786

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008117205/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/52    
Аналоги изобретения: RU 2313156 C1, 20.12.2007. RU 2278444 C1, 20.06.2006. RU 2212730 C2, 20.09.2003. US 2004096688 A1, 20.05.2004. WO 2007010927 A1, 25.01.2007. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU),
ЗАО "ВЗПП-Микрон" (RU),
ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU) 
Изобретатели: Зенин Виктор Васильевич (RU)
Кочергин Александр Валерьевич (RU)
Фоменко Юрий Леонидович (RU)
Хишко Ольга Владимировна (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
ЗАО "ВЗПП-Микрон" (RU)
ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу с образованием эвтектики Al-Zn включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса и размещение между кристаллом и корпусом фольги из цинка и пайку к основанию корпуса. При этом на основание корпуса наносят алюминиевую металлизацию, между кристаллом и корпусом размещают фольгу припоя состава 20Zn/80Sn (вес.%), а пайку проводят в защитной среде при температуре 420-430°С. Техническим результатом изобретения является: снижение трудоемкости изготовления и повышение предельно допустимой температуры нагрева полупроводниковых приборов при их эксплуатации.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"